[发明专利]具有集成控制装置的ISFET传感器

摘要

本发明的目的在于提供一种传感器，用于测量溶液中的物质浓度，所述物质是离子形式的或适用于产生离子化合物，所述传感器包括至少两个组件，即i)ISFET晶体管，具有漏极、源极、对所述物质敏感的绝缘膜，且被连接到参考电极上，和ii)MOSFET晶体管，具有漏极、源极、金属电极覆盖的绝缘层形成的栅极，在所述传感器中，所述两个组件被并联安置，所述源极和漏极被它们共用。本发明还涉及制造这测量溶液中离子物质的传感器的方法，所述方法包括在所述制造期间的至少一次干燥验证测试。所涉及的离子物质可为存在在溶液中的化合物，或者为具生物来源化合物的生化反应产物。

主权项

一种用于测量溶液中的物质浓度的传感器，所述物质是离子形式的或适用于产生离子化合物，所述传感器包括至少两个组件，即i)ISFET晶体管(100)，具有漏极、源极、对所述物质敏感的绝缘膜(3)，且被连接到参考电极(4)上，和ii)MOSFET晶体管(200)，具有漏极、源极、金属电极(6)覆盖的绝缘层(5)形成的栅极(13)，其特征在于，所述两个组件被并联安置，所述源极(1)和漏极(2)被它们共用。