[发明专利]钒补偿的NU型和PI型SISiC单晶及其晶体生长方法有效
| 申请号： | 201380027241.9 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN104364428B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 伊利亚·茨维巴克;托马斯·E·安德森;阿维纳什·K·古普塔;瓦拉特哈拉詹·伦加拉詹;加里·E·鲁兰;安德鲁·E·索齐斯;P·吴;X·徐 | 申请（专利权）人： | Ⅱ-Ⅵ公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,张英 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在晶体生长装置和方法中，将多晶源材料和晶种引入至由布置在炉室内的生长坩埚构成的生长环境中。在第一升华生长压力存在下，在包含反应性成分的第一气体流存在下经由升华的源材料在晶种上的沉积在晶种上升华生长单晶，该反应性成分在所述升华生长期间与来自生长环境中的施主和/或受主背景杂质反应并将其除去。随后，在第二升华生长压力存在下，在包含掺杂剂蒸气但不包含反应性成分的第二气体流存在下，经由升华的源材料在晶种上的沉积在晶种上升华生长单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 nu pi si sic 及其 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体生长方法，包括：(a)在布置在炉室内的生长坩埚内，以间隔的关系提供SiC单晶晶种和多晶SiC源材料，布置在炉室内的所述生长坩埚限定生长环境；以及(b)经由升华的SiC源材料在SiC晶种上的沉积在所述SiC晶种上升华生长SiC单晶；(c)使得在所述生长环境中形成反应性气氛，所述反应性气氛与存在于所述生长环境中的背景氮和背景硼反应形成具有所述背景氮的固体氮化物化合物和具有所述背景硼的气态卤化硼化合物。
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