[发明专利]高操作速度的电阻型随机存取存储器有效
| 申请号： | 201380027469.8 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN104335284B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | S·阮;H·纳扎里安 | 申请（专利权）人： | 科洛斯巴股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 许向彤,陈英俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有高读取速度的电阻型随机存取存储器(RRAM)。在一实例中，RRAM存储器可以在一端子处通过一位线上电，并且在另一端子处连接到具有较低栅极电容(相对于该位线的电容)的晶体管的栅极。按照此布置，施加到该位线的信号能够响应于RRAM存储器处于导电状态而快速切换晶体管的栅极的状态。被配置为测量该晶体管的感测电路可以检测该晶体管的电流、电压等的变化并且从测量中确定RRAM存储器的状态。此外，由于晶体管栅极的电容较低，所以这种测量可以快速进行，大幅提高RRAM的读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 速度 电阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种电子存储器，包括：电阻型随机存取存储器(RRAM)，在第一RRAM端子处连接到所述电子存储器的一个位线；读取晶体管，具有与所述RRAM的第二RRAM端子连接的栅极；以及感测电路，经由一个感测位线连接到所述读取晶体管的沟道区域；其中：所述感测电路响应于通过所述位线施加在所述第一RRAM端子上的读取信号而根据所述沟道区域的特性来确定所述RRAM的状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科洛斯巴股份有限公司，未经科洛斯巴股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380027469.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
