[发明专利]太阳能电池用硅晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201380027688.6 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104364913A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 阿部秀司;铃木龙畅;大沼光男 | 申请（专利权）人： | 日本化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用了多晶硅晶片的太阳能电池用基板，该太阳能电池用基板能够进一步降低对于入射光的反射。该太阳能电池用基板由具有通过湿法蚀刻形成的凹凸表面的多晶硅晶片构成，以下所定义的凹凸表面的立体表面粗糙度为2.0～4.0。上述立体表面粗糙度的含义为：使用激光显微镜KEYENCH公司制“VK-9700”，在测定时倍率3000倍、观察视野6512μm2的条件下，测量多晶硅晶片的凹凸表面的表面积，用测得的值除以观察视野而得到的值。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池用基板，其特征在于：由具有通过湿法蚀刻形成的凹凸表面的多晶硅晶片构成，以下所定义的凹凸表面的立体表面粗糙度为2.0～4.0，上述的立体表面粗糙度是使用激光显微镜KEYENCH公司生产的“VK‑9700”，在测定时倍率3000倍、观察视野6512μm2的条件下，测量多晶硅晶片的凹凸表面的表面积，用测得的值除以观察视野而得到的值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
