[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置(100)包括基板(10)和设置在基板上的TFT，TFT包括栅极电极(12)；与栅极电极相对的氧化物半导体层(14)；与氧化物半导体层连接的源极电极(16)和漏极电极(18)；和与源极电极和漏极电极的至少一部分相接触的绝缘层(22)，绝缘层(22)包括与源极电极和漏极电极的至少一部分相接触的下侧区域(22b)和位于下侧区域的上方的上侧区域(22a)，下侧区域(22b)的氢含有率大于上侧区域(22a)的氢含有率。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备基板的工序；在所述基板上形成TFT的工序，所述TFT具有栅极电极、以隔着栅极绝缘膜与所述栅极电极相对的方式配置的半导体层、以及与所述半导体层电连接的源极电极和漏极电极；形成与所述源极电极和漏极电极的上表面中的至少一部分相接触的绝缘层的工序；和在形成所述绝缘层的工序之后进行热处理的工序，在形成所述绝缘层的工序中，以与所述源极电极和所述漏极电极相接触的区域的氢含有率高于与所述源极电极和所述漏极电极分离的区域的氢含有率的方式形成所述绝缘层，形成所述绝缘层的工序包括使用SiH4气体与N2O气体形成SiO2层的工序，形成所述SiO2层的工序包括：形成下层绝缘层的工序；和在所述下层绝缘层上形成氢含有率比所述下层绝缘层低的上层绝缘层的工序，与形成所述下层绝缘层的工序相比，在形成所述上层绝缘层的工序中SiH4/N2O的流量比设定得更低。