[发明专利]导电性薄膜积层体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380028499.0 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN104365180B 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 五十岛健史;大岛优记 申请(专利权)人: 三菱化学株式会社
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;C08G73/02;H01B13/00;H01L51/50;H05B33/02
代理公司: 上海市华诚律师事务所31210 代理人: 徐申民
地址: 日本国东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明是一种含有基板和在该基板上形成的导电性薄膜的导电性薄膜积层体的制造方法,所述导电性薄膜是通过在基板或基板上形成的导电性薄膜上涂布导电性薄膜前驱物,接着通过红外线加热交联形成的;所述基板在波长2000~3300nm的范围内具有红外线透过率的最小值,所述红外线透过率的最小值的波长与该红外线的峰值波长的积(α)为2μm2以上,16μm2以下。
搜索关键词: 导电性 薄膜 积层体 制造 方法
【主权项】:
一种导电性薄膜积层体的制造方法,其为含有基板和在该基板上形成的导电性薄膜的导电性薄膜积层体的制造方法,所述导电性薄膜是通过在基板或基板上形成的导电性薄膜上,涂布含有高分子化合物的导电性薄膜前驱物,接着通过红外线加热交联形成,所述高分子化合物含有下述式(1)表示的重复单元并且具有交联基团;式(1)中,Ara或Arb分别独立地表示可具有取代基的碳原子数4~60的芳香族烃基或芳香族杂环基,在基板的红外线透过率为最小值时的波长与该红外线的峰值波长的积为α、所述基板的温度保持150℃以上的时间为t的情况下,满足下述式(7)的关系,其中,时间t的单位为秒,0.002≦α/t(μm2/s)≦0.2…(7)。
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