[发明专利]摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法

摘要

摄像装置(10)的制造方法包括多个受光部(31)形成于第1主面(30SA)，切断在各个受光部(31)的周围形成有电极焊盘(32)的摄像芯片基板(30W)而制作多个摄像芯片(30)的工序；借助透明的粘接层(41)将摄像芯片(30)的第1主面(30SA)粘接于玻璃晶圆(20W)，并且，借助粘接层(41)将虚设芯片(30D)粘接于玻璃晶圆(20W)的未粘接摄像芯片(30)的外周区域而制作接合晶圆(40W)的工序；利用密封构件(42)将摄像芯片(30)以及虚设芯片(30D)之间填充的工序；将接合晶圆(40W)加工而减薄厚度的工序；在第2主面(30SB)上形成借助贯穿布线(33)与电极焊盘(32)连接的外部连接电极(34)的工序；以及切断接合晶圆(40W)的工序。

主权项

一种摄像装置的制造方法，其特征在于，该摄像装置的制造方法包括：多个受光部形成于第1主面，切断在各个受光部的周围形成有电极焊盘的摄像芯片基板，制作多个摄像芯片的工序；借助透明的粘接层将摄像芯片的上述第1主面粘接于透明的支承基板，并且，借助上述粘接层将虚设芯片粘接于上述支承基板的未粘接上述摄像芯片的外周区域而制作接合晶圆的工序；利用密封构件将粘接于上述接合晶圆的上述摄像芯片以及上述虚设芯片之间填充的工序；将上述接合晶圆从第2主面侧加工而减薄厚度的工序；在上述第2主面上形成借助贯穿布线与上述电极焊盘连接的外部连接电极的工序；以及切断上述接合晶圆的工序，上述减薄厚度的工序包含CMP工序，在上述CMP工序中，在相同的CMP条件下，上述虚设芯片的加工速度比上述摄像芯片的加工速度慢，上述虚设芯片的厚度与CMP加工中的摄像芯片的目标加工厚度相同。