[发明专利]点火器、点火器的控制方法以及内燃机用点火装置

摘要

一种点火器(200)，其不设置耗尽型IGBT，将主IGBT(3)与传感IGBT(4)之间的距离设为100μm以上、700μm以下，优选为100μm以上、200μm以下。控制点火器(200)，在主IGBT(3)的过电流达到规定的上限值之前，使传感IGBT(4)的传感电流饱和。从而可以提供一种防止电流限制时主IGBT(3)的集电极电流过冲的小型点火器(200)，以及搭载该点火器(200)的小型、防止误点火的内燃机用点火装置(100)。

主权项

一种点火器，其特征在于，具备：主绝缘栅型晶体管，其控制主电流的通电或断开；传感绝缘栅型晶体管，其在与所述主绝缘栅型晶体管相同的半导体基板上，与该主绝缘栅型晶体管并联配置，感测该主绝缘栅型晶体管的电流值；以及控制电路，其根据流入所述传感绝缘栅型晶体管的传感电流值，计算出所述主绝缘栅型晶体管的电流值，并根据该计算出的所述主绝缘栅型晶体管的电流值，控制该主绝缘栅型晶体管的栅极电压，从而控制所述主绝缘栅型晶体管的电流，所述控制电路使从该控制电路输出的所述栅极电压减少，限制流入所述主绝缘栅型晶体管的过电流，在利用所述控制电路将所述栅极电压减少为所述主绝缘栅型晶体管电流变为所述过电流的规定上限值时的所述栅极电压的电压值的时刻，流入所述传感绝缘栅型晶体管的传感电流处于饱和区域，所述主绝缘栅型晶体管具有：第一导电型第一半导体层；第二导电型第二半导体层，其有选择地设置在所述第一半导体层的第一主面侧的表面层；第一导电型第三半导体层，其有选择地设置在所述第二半导体层的内部；第一栅极电极，其隔着第一栅极绝缘膜，设置在所述第二半导体层的、被所述第三半导体层和所述第一半导体层所夹持部分的表面上；以及第一主电极，其电连接到所述第二半导体层以及所述第三半导体层，所述传感绝缘栅型晶体管具有：第二导电型第四半导体层，其与所述第二半导体层隔开并有选择地设置在所述第一半导体层的第一主面侧的表面层；第一导电型第五半导体层，其有选择地设置在所述第四半导体层的内部；第二栅极电极，其经由第二栅极绝缘膜，设置在所述第四半导体层的、被所述第五半导体层和所述第一半导体层所夹持部分的表面上；以及第二主电极，其电连接到所述第一主电极、所述第四半导体层以及所述第五半导体层，所述主绝缘栅型晶体管和所述传感绝缘栅型晶体管之间的距离为100μm以上、700μm以下。