[发明专利]单晶制造装置有效
申请号: | 201380029424.4 | 申请日: | 2013-04-25 |
公开(公告)号: | CN104364427B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 岛田聪郎 | 申请(专利权)人: | 信越半导体股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张永康,李英艳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种单晶制造装置,是根据直拉法而构成的单晶制造装置,且具备坩埚,其容置原料熔液;圆筒状加热器,其围绕该坩埚并加热原料熔液;主腔室,其容纳这些构件;电极,其从该主腔室的底部插入,支持前述圆筒状加热器且供给电力;及,盛漏托盘,其配设于前述主腔室的底部,容置从前述坩埚中漏出的原料熔液;并且,所述单晶制造装置的特征在于液漏罩配设于前述坩埚的下方且前述电极的上方的位置处,所述液漏罩防止从前述坩埚中漏出的原料熔液滴落于前述电极上。由此,可以提供一种单晶制造装置,所述单晶制造装置可以保护电极,以避免接触到从坩埚中液漏的原料熔液,所述电极支持圆筒状加热器。 | ||
搜索关键词: | 制造 装置 | ||
【主权项】:
一种单晶制造装置,是根据直拉法而构成的单晶制造装置,且具备坩埚,其容置原料熔液;圆筒状加热器,其围绕该坩埚并加热原料熔液;主腔室,其容纳这些构件;电极,其从该主腔室的底部插入,支持前述圆筒状加热器且供给电力;及,盛漏托盘,其配设于前述主腔室的底部,容置从前述坩埚中漏出的原料熔液;并且,所述单晶制造装置的特征在于:向坩埚的整个周围扩展的环形的一个液漏罩配设于前述坩埚的下方且前述电极的上方的位置处,所述液漏罩防止从前述坩埚中漏出的原料熔液滴落于前述电极上,在前述盛漏托盘与前述液漏罩之间,配设有供前述电极插通的隔热板,前述液漏罩具有将从前述坩埚中漏出的原料熔液引导至前述隔热板的结构,该隔热板具有将原料熔液引导至前述盛漏托盘上所配设的液漏检测器的结构。
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