[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201380029547.8 | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN104350612B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 权世汉 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,顾晋伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据一个实施方案的太阳能电池包括基础衬底;形成在基础衬底上的背电极层;形成在背电极层上的光吸收层;形成在光吸收层上的缓冲层;形成在缓冲层上的高电阻缓冲层;以及形成在高电阻缓冲层上的前电极层。孔穿过光吸收层和缓冲层。根据一个实施方案的用于制造太阳能电池的方法包括在衬底上形成背电极层的步骤;在背电极层上形成光吸收层的步骤;在光吸收层上形成缓冲层的步骤;对缓冲层的一部分进行蚀刻的步骤;以及在缓冲层上形成前电极层的步骤。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:在衬底上形成背电极层;在所述背电极层上形成光吸收层;在所述光吸收层上形成缓冲层;对所述缓冲层的一部分进行蚀刻;以及在所述缓冲层上形成前电极层,其中所述光吸收层包括外来物质,并且在对所述缓冲层的所述一部分进行蚀刻期间去除所述外来物质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的