[发明专利]半导体晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201380030575.1 | 申请日： | 2013-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104350583B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 山下健儿 | 申请（专利权）人： | 胜高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 秦琳,徐红燕 |
| 地址： | 日本长崎*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体晶片的制造方法，所述制造方法进行对半导体晶片的表面和背面进行粗研磨的粗研磨工序（S5）、对上述粗研磨后的半导体晶片的倒角部进行镜面研磨的镜面倒角研磨工序（S7）、以及对上述镜面倒角后的半导体晶片的表面或者表面和背面进行镜面研磨的镜面精加工研磨工序（S9），所述制造方法的特征在于，在上述镜面倒角研磨工序之后，进行在上述半导体晶片的整个表面形成氧化膜的工序（S8），之后，进行上述镜面精加工研磨工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片的制造方法，所述制造方法进行：粗研磨工序，对半导体晶片的表面和背面进行粗研磨；镜面倒角研磨工序，对所述粗研磨后的半导体晶片的倒角部进行镜面研磨；以及镜面精加工研磨工序，使用对所述镜面倒角后的半导体晶片的一个面进行保持而对另一个面进行研磨的单面研磨装置，对所述半导体晶片的表面或者表面和背面进行镜面研磨，所述制造方法的特征在于，在所述镜面倒角研磨工序之后，将在所述半导体晶片的表面存在的氧化膜全部除去，之后，在所述半导体晶片的整个表面形成氧化膜，之后，进行所述镜面精加工研磨工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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