[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法有效
申请号: | 201380031117.X | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN104364917B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 中津弘志;井上知也;野中健太朗;浅井俊晶;竹冈忠士;谷善彦 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/22;H01S5/343 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 吴秋明 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 氮化物半导体发光元件(1)具备基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层,关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下,或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下,同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95%以上。 | ||
搜索关键词: | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种氮化物半导体发光元件,具备:基板;缓冲层,被设置在所述基板上;基底层,被设置在所述缓冲层上;n侧氮化物半导体层,被设置在所述基底层上;发光层,被设置在所述n侧氮化物半导体层上;和p侧氮化物半导体层,被设置在所述发光层上,所述氮化物半导体发光元件的特征在于,与作为构成氮化物半导体发光元件的各层的结晶面的(004)面相关的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下,或者与(102)面相关的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下,同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95%以上。
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