[发明专利]太阳能电池设备及制造太阳能电池设备的方法有效
申请号: | 201380031212.X | 申请日: | 2013-07-30 |
公开(公告)号: | CN104380478B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 高政焕 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/0465 | 分类号: | H01L31/0465 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 高伟,陆弋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开太阳能电池设备和制造太阳能电池设备的方法。太阳能电池设备包括支撑基板;在支撑基板上的背电极层;在背电极层上的光吸收层;在光吸收层上的缓冲层;在缓冲层上的前电极层;在背电极层中的第一通孔,以暴露支撑基板的顶表面;以及第二通孔,该第二通孔穿过光吸收层和缓冲层,并且与第一通孔的一部分重叠。该方法包括在支撑基板上形成背电极层;形成第一通孔;在背电极层上形成光吸收层;形成第二通孔;以及在光吸收层上和在与第一通孔的一部分重叠的第二通孔中形成前电极层。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池设备,包括:支撑基板;在所述支撑基板上的钼(Mo)层;在所述钼(Mo)层上的光吸收层;在所述光吸收层上的缓冲层;所述缓冲层的高电阻缓冲层;在所述缓冲层上的前电极层;在所述钼(Mo)层中的第一通孔,所述第一通孔使所述支撑基板的顶表面暴露;以及第二通孔,所述第二通孔穿过所述光吸收层、所述缓冲层和所述高电阻缓冲层而形成,其中,所述缓冲层包括硫化镉(CdS),其中,所述高电阻缓冲层包括没有被掺杂有杂质的i‑ZnO,其中,所述前电极层包括掺杂Al的氧化锌(AZO)或者掺杂Ga的氧化锌(GZO),其中,借助所述第二通孔,所述光吸收层的暴露的侧表面、所述缓冲层的暴露的侧表面和所述高电阻缓冲层的暴露的侧表面是共面的,其中,所述第二通孔包括第一内横向侧和第二内横向侧,其中,所述第二通孔的所述第一内横向侧相对于所述支撑基板的顶表面以悬垂结构倾斜,其中,所述第二内横向侧相对于所述钼(Mo)层的顶表面以悬垂结构倾斜,其中,所述第二内横向侧平行于所述第一内横向侧,其中,所述第二通孔包括:第一部分,所述第一部分使所述支撑基板的顶表面暴露;和第二部分,所述第二部分使所述钼(Mo)层的顶表面暴露;其中,所述第二通孔与所述第一通孔的一部分重叠;其中,所述第二通孔形成凹部,所述凹部形成断开区域;其中,所述前电极层的端部朝向所述凹部设置;其中,所述前电极层覆盖所述第一部分的底表面以及所述第二部分的底表面的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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