[发明专利]用于导向自组装的硅硬掩模层有效
申请号: | 201380031543.3 | 申请日: | 2013-04-15 |
公开(公告)号: | CN104380194B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 王玉宝;M·A·霍基;D·J·古尔瑞罗;V·克里西那莫西;R·C·考克斯 | 申请(专利权)人: | 布鲁尔科技公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;H01L21/027 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭辉 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了用于导向自组装图案化技术的组合物,其在工艺中无需独立的减反射涂层和刷中性层。还提供导向自组装的方法,其中可将自组装材料,例如导向自组装嵌段共聚物,直接施涂到硅硬掩模中性层,然后自组装以形成所需的图案。本文还批露了导向自组装图案化的结构。 | ||
搜索关键词: | 用于 导向 组装 硅硬掩模层 | ||
【主权项】:
1.一种使用导向自组装形成微电子结构的方法,所述方法包括:提供晶片堆叠件,所述堆叠件包括:具有表面的基片;在所述基片表面上的一个或多个任选的中间层;旋涂包含具有可兼容的部分的含硅聚合物的组合物以形成硬掩模层,如果存在所述中间层,该硬掩模层邻近所述中间层,如果不存在所述中间层,该硬掩模层在所述基片表面上,还包括预图案,其包括在所述硬掩模层顶部的多个凸起特征,所述凸起特征是隔开的,且各自由各侧壁和顶部表面限定;和将自组装组合物直接施涂到所述硬掩模层顶部的所述凸起特征之间的间隔中,所述自组装组合物自组装成直接邻近所述硬掩模层的自组装层,其中所述自组装层包括第一自组装的区域和不同于所述第一自组装的区域的第二自组装的区域。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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