[发明专利]使用快速热处理的原子层沉积无效

专利信息
申请号: 201380031609.9 申请日: 2013-06-19
公开(公告)号: CN104395498A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: Z·叶 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/448
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 徐伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供用于使用快速热处理的薄膜原子层沉积的方法及设备。本案所描述的方法可用以使用快速热处理转化非晶薄膜以形成外延薄膜,或用以选择性地在基板的一部分上沉积薄膜。设备中的热元件能够藉由暂时使非晶薄膜的温度快速上升来整体或局部地改变非晶薄膜或非晶薄膜的一部分的温度,从而使该薄膜转化为外延薄膜。
搜索关键词: 使用 快速 热处理 原子 沉积
【主权项】:
一种在基板上形成薄膜的方法,所述方法包含以下步骤:在第一温度将所述基板曝露于第一反应性气体以使所述第一反应性气体吸收至所述基板;及使所吸收的反应性气体的温度快速上升至第二温度以形成薄膜,所述第二温度高于所述第一温度。
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