[发明专利]太阳能电池元件以及太阳能电池元件的制造方法

摘要

本发明所涉及的太阳能电池元件具备：半导体基板，其具有位于第1主面的第1导电型的第1半导体区域、以及在位于与第1主面相反侧的第2主面的表层部具有与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域；和线状的电极，其被配置在半导体基板的所述第2主面上。此外，该太阳能电池元件的第2半导体区域具有：第1浓度区域，其存在于俯视来看从电极起隔着规定距离的位置；和第2浓度区域，其包含掺杂剂浓度比第1浓度区域高的高浓度区域，并且沿着电极的长边方向而存在。此外，该太阳能电池元件中，从一个部位的第2浓度区域的掺杂剂浓度的值减去与该一个部位接近的部位的第1浓度区域的掺杂剂浓度的值后得到的掺杂剂浓度差沿着电极的长边方向，成为极小值的极小部位与成为极大值的极大部位交替反复存在。该太阳能电池元件在电极的长边方向上具有相邻的所述极小部位的一端部彼此的极小部位问隔不同的部分。

主权项

一种太阳能电池元件，具备：半导体基板，其具有位于第1主面的第1导电型的第1半导体区域、以及在位于与所述第1主面相反侧的第2主面的表层部具有与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域；和线状的电极，其被配置在该半导体基板的所述第2主面上，所述太阳能电池元件的特征在于，所述第2半导体区域具有：第1浓度区域，该第1浓度区域存在于俯视来看从所述电极起隔着规定距离的位置；和第2浓度区域，该第2浓度区域包含掺杂剂浓度比该第1浓度区域高的高浓度区域，并且沿着所述电极的长边方向而存在，并且，从一个部位的所述第2浓度区域的掺杂剂浓度的值减去与该一个部位接近的部位的所述第1浓度区域的掺杂剂浓度的值后得到的掺杂剂浓度差，沿着所述电极的长边方向，成为极小值的极小部位与成为极大值的极大部位交替反复存在，在所述电极的长边方向上具有极小部位间隔不同的部分，该极小部位间隔是指相邻的所述极小部位的一端部彼此的间隔。