[发明专利]具有纳米线氧化钛和/或碳化硅芯及石墨烯外层的太阳能电池无效
申请号: | 201380031828.7 | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN104471721A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | D·M·格伦 | 申请(专利权)人: | 蒂梅尔罗德科技公司;D·M·格伦 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/0312;H01L31/0352;H01L29/06;H01L29/16;B82Y10/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种设备包括各自包括上面布置有石墨烯的纳米线氧化钛芯的多个太阳能电池。通过一个方法,所述多个太阳能电池能够至少部分地包括上面布置有所述多个太阳能电池的钛箔,其中,所述太阳能电池中的至少大多数被对准为彼此基本上平行且与所述钛箔基本上垂直。这样的多个太阳能电池能够被布置在光源与太阳能转换的另一模式部之间,使得所述太阳能电池和太阳能转换的所述另一模式部这二者利用相同的光源来发电。 | ||
搜索关键词: | 具有 纳米 氧化 碳化硅 石墨 外层 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种方法,该方法包括以下步骤:提供各自包括上面布置有石墨烯的纳米线氧化钛芯的多个太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的