[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201380032133.0 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN104412363B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 梁日光;宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种基板处理装置。在该基板处理装置中,执行针对基板的处理,该基板处理装置包括主腔室,其具有限定在所述主腔室的侧壁内以加载或卸载所述基板的通道以及分别限定在所述主腔室的上部和下部的上开口和下开口;腔室盖,其封闭所述主腔室的所述上开口,以提供与外界分隔的处理空间来执行所述处理;喷洒头,其设置在所述处理空间内,所述喷洒头具有喷出处理气体的多个喷孔;下加热块,在所述下加热块的上部放置所述基板,所述下加热块固定至所述下开口并且具有与所述处理空间分隔的下安装空间;以及多个下加热器,所述多个下加热器在与所述基板平行的方向上设置在所述下安装空间内,以加热所述下加热块。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,在所述基板处理装置中执行针对基板的沉积处理,所述基板处理装置包括:主腔室,所述主腔室具有限定在所述主腔室的一个侧壁内以加载或卸载所述基板的通道以及分别限定在所述主腔室的上部和下部的上开口和下开口;上加热块,所述上加热块固定至所述上开口以封闭所述上开口;下加热块,在所述下加热块的上部放置所述基板,所述下加热块固定至所述下开口以封闭所述下开口;多个举升插销,所述多个举升插销被固定至所述下加热块的顶表面以支撑所述基板的底表面,使得所述基板和所述下加热块之间的距离被保持为预定的高度以将所述基板的热偏差降至最低;喷洒头,所述喷洒头设置于在所述上加热块与所述下加热块之间限定的处理空间内以位于所述基板和所述上加热块之间,所述喷洒头具有在与所述基板平行的方向上将处理气体喷到所述基板上的多个喷孔;排气口,所述排气口设置在所述主腔室的另一侧壁内以排放所述处理气体,所述另一侧壁被设置为与所述喷洒头相对;多个上加热线,所述多个上加热线设置在与所述处理空间分隔的并且限定在所述上加热块内的上安装空间内,所述多个上加热线设置在与所述基板平行的方向上,以加热所述上加热块;以及多个下加热线,所述多个下加热线设置在与所述处理空间分隔的并且限定在所述下加热块内的下安装空间内,所述多个下加热线设置在与所述基板平行的方向上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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