[发明专利]多晶硅的晶体取向度评价方法、多晶硅棒的选择方法、多晶硅棒、多晶硅块以及单晶硅的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380032180.5 申请日: 2013-06-18
公开(公告)号: CN104395740A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G01N23/20 分类号: G01N23/20;C01B33/02;C01B33/035
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 杨海荣;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 利用X射线衍射法对多晶硅的晶体取向度进行评价时,将选取的圆板状试样20配置于对来自密勒指数面<hkl>的布拉格反射进行检测的位置,以圆板状试样20的中心作为旋转中心使其以旋转角度φ进行面内旋转以使得由狭缝确定的X射线照射区域对圆板状试样20的主面上进行φ扫描,求出表示来自密勒指数面<hkl>的布拉格反射强度对于圆板状试样20的旋转角度(φ)的依赖性的图表,由该图表求出基线,将该基线的衍射强度值用作晶体取向度的评价指标。本发明提供以高定量性和再现性来选择适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅且有助于稳定地制造单晶硅的技术。
搜索关键词: 多晶 晶体 取向 评价 方法 选择 以及 单晶硅 制造
【主权项】:
一种多晶硅的晶体取向度评价方法,利用X射线衍射法对多晶硅的晶体取向度进行评价,其特征在于,将所述多晶硅制成板状试样,将该板状试样配置于对来自密勒指数面<hkl>的布拉格反射进行检测的位置,以该板状试样的中心作为旋转中心使其以旋转角度φ进行面内旋转以使得由狭缝确定的X射线照射区域对所述板状试样的主面上进行φ扫描,求出表示来自所述密勒指数面<hkl>的布拉格反射强度对于所述板状试样的旋转角度(φ)的依赖性的图表,由该图表求出基线,将该基线的衍射强度值用作晶体取向度的评价指标。
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