[发明专利]与具有改进的插入损耗性能的结铁氧体装置相关的设备和方法有效
申请号: | 201380032303.5 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN104380526B | 公开(公告)日: | 2018-02-09 |
发明(设计)人: | D.B.克鲁克尚克;I.A.麦克法兰 | 申请(专利权)人: | 天工方案公司 |
主分类号: | H01P1/393 | 分类号: | H01P1/393;H01P1/397 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了与具有改进的插入损耗性能的结铁氧体装置相关的设备和方法。在一些实施方式中,铁氧体盘组件可以构造用于射频(RF)环形器。该盘组件可以包括铁氧体基盘,其具有铁氧体部分和形成在该盘的接地表面上以改进在该盘的接地表面和外接地表面之间的电连接的金属化层。该铁氧体基盘还可以包括设置在铁氧体中心部分的外围周围的介电部分。在一些实施例中,该金属化层可以是形成在该盘的接地表面上并且具有期望的厚度的银层。 | ||
搜索关键词: | 具有 改进 插入损耗 性能 铁氧体 装置 相关 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种射频环形器,包括:接地平面,具有限定一凹部的第一侧和与该第一侧相对的第二侧;磁体,设置在该接地平面的该第一侧上的该凹部中,该凹部的尺寸形成为接收和支撑该磁体;铁氧体基盘,设置在靠近该接地平面的该第二侧,该铁氧体基盘具有面朝向该接地平面的第二侧的第一表面以及面朝向远离该接地平面的第二侧的相对的第二表面,该铁氧体基盘包括在该第一表面上形成的与该铁氧体基盘一体的金属化层以限定接地表面,从而该金属化层与在该接地平面上的该第二侧直接接触并且被置于该接地平面的第二侧和该铁氧体基盘的第一表面之间;以及返回路径,包括靠近离开所述接地平面的所述磁体另一侧的回路盘,所述回路盘的直径大于所述磁体的直径,并且所述返回路径包括空心的圆柱体,其中所述回路盘和圆柱体包围所述接地平面,所述空心的圆柱体具有匹配所述回路盘的直径的内部直径。
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