[发明专利]固体摄像装置有效
申请号: | 201380032343.X | 申请日: | 2013-03-01 |
公开(公告)号: | CN104508819B | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 高木慎一郎;米田康人;杉本贤一;铃木久则;村松雅治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/148 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 固体摄像装置(1)包括半导体基板(20),其具有相互相对的主面(20a)与主面(20b),且在主面(20a)侧设置有多个光感应区域(3);及绝缘膜(61),其具有相互相对的主面(61a)与主面(61b),且以主面(61a)与主面(20a)相对的方式配置于半导体基板(20)上。半导体基板(20)的主面(20a)中的与各光感应区域(3)对应的区域的、与半导体基板(20)的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线交替地连续而成的波浪形状。绝缘膜(61)的主面(61a)中的与各光感应区域(3)对应的区域的、与绝缘膜(61)的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线对应于主面(20a)而交替地连续而成的波浪形状。绝缘膜(61)的主面(61b)为平坦。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,其特征在于,包括:半导体基板,其具有相互相对的第一主面与第二主面,且在所述第一主面侧设置有多个光感应区域;及绝缘膜,其具有相互相对的第三主面与第四主面,且以所述第三主面与所述第一主面相对的方式配置于所述半导体基板上,所述半导体基板的所述第一主面中的与各所述光感应区域对应的区域的、与所述半导体基板的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线交替地连续而成的波浪形状,所述绝缘膜的所述第三主面中的与各所述光感应区域对应的区域的、与所述绝缘膜的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线对应于所述第一主面而交替地连续而成的波浪形状,所述绝缘膜的所述第四主面为平坦,所述第一主面为所述半导体基板的光入射面,所述绝缘膜为反射防止膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社,未经浜松光子学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380032343.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:宽带隙半导体器件及其制造方法
- 下一篇:太阳电池夹具用静电荷移除
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的