[发明专利]制造具有局部背表面场(LBSF)的太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 201380032451.7 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN104396027A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | W·斯托库姆;O·多尔;I·科尔勒;C·马托斯彻克 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈晰 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及使用碱性蚀刻膏制造具有局部背表面场(LBSF)太阳能电池的方法，所述方法使得在单一的方法步骤中的背面抛光以及背面边缘绝缘化成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 局部 表面 lbsf 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
制造具有局部背表面场(LBSF)的太阳能电池的方法，其特征在于在一个蚀刻步骤中使用经印刷的蚀刻膏蚀刻磷硅酸盐玻璃层(PSG或PSG层)和位于其下的硅层，和由此在一个方法步骤中借助碱性蚀刻膏进行背面抛光和背面边缘绝缘化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
