[发明专利]制备半导体层的方法在审
| 申请号： | 201380032455.5 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104508847A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | C·纽萨姆 | 申请（专利权）人： | 剑桥显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种制备有机电子器件的半导体层方法，该方法包括：(i)从包含聚合物半导体、非聚合物半导体、第一芳族溶剂和第二芳族溶剂的溶液沉积所述半导体层，其中所述第二芳族溶剂的沸点比所述第一芳族溶剂的沸点高至少15℃；和(ii)加热所述沉积的层以蒸发所述溶剂，其中所述第一芳族溶剂具有式(I)：其中R1选自C1-6烷基和OC1-6烷基；和R2和R3各自独立地选自H和CC1-6烷基。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种制备有机电子器件的半导体层的方法，该方法包括：(i)从包含聚合物半导体、非聚合物半导体、第一芳族溶剂和第二芳族溶剂的溶液沉积所述半导体层，其中所述第二芳族溶剂的沸点比所述第一芳族溶剂的沸点高至少15℃；和(ii)加热所述沉积的层以蒸发所述溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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