[发明专利]金属硅及多孔碳的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380032500.7 申请日: 2013-05-22
公开(公告)号: CN104411635B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 石川真二;足立彻;山下泰一郎 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;C01B32/05;C01B32/97;C25B1/26;C25C3/34
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 盛曼,金龙河
地址: 日本大阪*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供能够由稻壳制造金属硅及多孔碳的制造方法。金属硅及多孔碳的制造方法具备第一工序S1,通过稻壳M1的加热处理而生成含有SiO2和C的稻壳炭M2;第二工序S4,使稻壳炭M4曝露于加热后的第一不活泼气体G2或还原性气体中的至少任意一种气体中而生成SiC;第三工序S5,使SiC曝露于含有Cl2气体的加热气氛中而生成SiCl4和多孔碳P1;第四工序S7,通过使SiCl4与Zn反应而生成金属硅P2和ZnCl2;以及第五工序S9,对ZnCl2进行电解而生成Zn和Cl2气体。将第五工序S9的Cl2气体用于第三工序S5,将第五工序S9的Zn用于第四工序S7。
搜索关键词: 金属硅 多孔 制造 方法
【主权项】:
一种金属硅及多孔碳的制造方法,其具备:第一工序,通过稻壳的加热处理而生成含有氧化硅和碳的稻壳炭;第二工序,使所述稻壳炭曝露于加热后的第一不活泼气体或还原性气体中的至少任意一种气体中而生成β型碳化硅;第三工序,使所述β型碳化硅曝露于含有氯气的加热气氛中而生成氯化硅和多孔碳;第四工序,通过使所述氯化硅与金属锌反应而生成金属硅和氯化锌;以及第五工序,对所述氯化锌进行电解而生成金属锌和氯气,将所述第五工序的所述氯气用于所述第三工序,将所述第五工序的所述金属锌用于所述第四工序,在所述第一工序之后且第二工序之前利用酸性溶液对所述稻壳炭进行处理。
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