[发明专利]存储器单元、半导体装置结构、存储器系统及制造方法有效
| 申请号： | 201380032567.0 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN104471647A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 维托·库拉;古尔特杰·S·桑胡;斯蒂芬·J·克拉梅尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示形成磁性存储器单元的方法。将磁性及非磁性材料形成为处于本质上无应变、压缩应变或拉伸应变的初始应力状态的原始前体结构。形成例如非牺牲性导电材料的应力补偿材料以待安置于所述原始前体结构上以形成处于净有益应力状态的应力经补偿前体结构。此后，可图案化所述应力经补偿前体结构以形成存储器单元的单元核心。所述应力经补偿前体结构的所述净有益应力状态适合于在所述单元核心中形成一或多个磁性区域，从而展现垂直磁性定向而不会劣化所述一或多个磁性区域的磁性强度。本发明还揭示存储器单元、存储器单元结构、半导体装置结构及自旋力矩转移磁性随机存取存储器STT MRAM系统。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 半导体 装置 结构 系统 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成存储器单元的方法，所述方法包括：形成原始前体结构，所述原始前体结构包括安置于磁性材料与另一磁性材料之间的非磁性材料，所述磁性材料及所述另一磁性材料中的至少一者包括在一磁性强度下展现垂直磁性定向的磁性区域，所述原始前体结构经历初始应力状态；形成安置于所述原始前体结构上的应力补偿材料，所述应力补偿材料经历与由所述原始前体结构经历的所述初始应力状态相反的应力状态；以及图案化所述应力补偿材料及所述原始前体结构的至少一部分以形成存储器单元，同时维持或增强所述磁性区域的所述磁性强度及所述垂直磁性定向。
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