[发明专利]半导体装置

摘要

在用于电力转换器的宽带隙半导体装置中，存在着由于高浪涌电压而导致装置被破坏的问题点，因而需要提高击穿耐量，并认识到该问题在单极型、横向型的半导体装置中更为明显。本发明提供一种半导体装置，其构成一种在装置内部具有穿通击穿单元的半导体装置，进一步构成为穿通击穿的击穿电压低于雪崩击穿电压，因而不会引起雪崩击穿，从而防止由雪崩击穿而导致半导体装置损坏，且击穿耐量大。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有产生由穿通击穿引起的击穿电流的半导体结构；所述半导体结构具有：第一半导体区域，具有配置在基板上的第一导电类型；第二半导体区域，具有所述第一导电类型；以及第三半导体区域，位于所述第一和第二半导体区域之间，且具有第二导电类型；所述半导体装置具有：第一电极，相对于所述第一半导体区域具有欧姆特性；第二电极，相对于所述第二半导体区域具有欧姆特性；以及第三电极，邻近所述第二电极；当在导通状态下，向所述第二电极施加相对于所述第一以及第三电极为正或者为负的电压时，由所述第一导电类型的载流子引起的导通电流在所述第二以及第三电极之间流动；当在截止状态下，向所述第二电极施加相对于所述第一以及第三电极为正或者为负的电压时，由所述第一导电类型的载流子引起的击穿电流在所述第二电极与所述第一电极之间流动；并且，在所述第二以及第三电极之间流动的漏电流的电流值同所述导通电流的电流值相比，最大时为1/1000以下。