[发明专利]存储器单元、半导体装置结构、存储器系统及制作方法有效
| 申请号： | 201380032769.5 | 申请日： | 2013-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104395964B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 韦恩·I·肯尼;维托·库拉;斯蒂芬·J·克拉梅尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示存储器单元。所述存储器单元内的磁性区包含磁性子区与耦合器子区的交替结构。所述耦合器子区的耦合器材料以反铁磁方式耦合相邻磁性子区，且实现或促进所述相邻磁性子区所展现的垂直磁性定向。通过耦合器子区彼此间隔开的相邻磁性子区展现相反指向的磁性定向。所述磁性子区及耦合器子区可各自为经定制而以紧凑结构形成所述磁性区的厚度。可减少或消除从所述磁性区发射的磁性偶极场对所述存储器单元中的自由区的切换的干扰。本发明还揭示半导体装置结构、自旋扭矩转移磁性随机存取存储器STT‑MRAM系统及制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 半导体 装置 结构 系统 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：至少一个存储器单元，所述至少一个存储器单元包括：固定区，其展现固定垂直磁性定向并且包括：多个磁性子区，每一磁性子区包括磁性材料并具有约0.2nm至约0.3nm的高度；以及与所述磁性子区交替的多个耦合器子区，每一耦合器子区包括耦合器材料并具有约0.3nm至约0.5nm的高度。
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