[发明专利]纳米级空隙的减小有效
| 申请号： | 201380032813.2 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104684710B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | J·J-J·胡;G·高兹纳;T·L·格林伯格 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | B29C59/02 | 分类号： | B29C59/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 乐洪咏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 减小抗蚀剂压印空隙的方法，包括密封腔室。所述腔室填充有惰性气氛，其中惰性气体在基底上抗蚀剂层中的溶解度大于氦气。所述方法还包括在腔室内建立足以致使惰性气氛被抗蚀剂层吸收，并足以抑制抗蚀剂层蒸发的压力。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 空隙 减小 | ||
【主权项】：
一种用于图案化媒介抗蚀剂压印的方法，包括：在基底上分散抗蚀剂层，其中所述抗蚀剂层包含多个抗蚀剂微滴；利用惰性气体净化腔室，其中所述惰性气体在所述抗蚀剂层内的溶解度比He在所述抗蚀剂层内的溶解度更大；将所述基底的表面和模板的预定目标的结构图案化表面一起布置在所述腔室内，其中所述布置致使所述基底和所述模板之间的所述抗蚀剂层与所述结构图案化表面相一致，并且其中所述布置进一步形成纳米级空隙；通过将所述基底在所述腔室中保持一段时间直至所述惰性气体被吸收至所述抗蚀剂层内来减小所述纳米级空隙的尺寸；和分离所述基底和所述模板，其中所述抗蚀剂层粘附至所述基底的所述表面。
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