[发明专利]图像拾取元件、图像拾取装置、制造装置及制造方法在审
申请号: | 201380033244.3 | 申请日: | 2013-05-22 |
公开(公告)号: | CN104428896A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 大塚洋一;山本笃志;前田兼作 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B1/11;G02B3/00;G02B5/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本技术涉及图像拾取元件、图像拾取装置和制造装置及制造方法,其能够抑制敏感特性的降低。该技术的图像拾取元件设置有一非平面层和微型透镜,该非平面层的光入射表面在光接收区域是非平坦的,该微型透镜由无机材料制造,聚集入射光,并且叠加在该非平面层的该光入射表面上。例如,该微型透镜可以从多个层构造。因此,本技术可应用于用于制造此图像拾取装置的制造装置及其制造方法。此外,本技术还可应用于,例如,诸如图像拾取装置的任何装置。 | ||
搜索关键词: | 图像 拾取 元件 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种图像拾取元件,包括:非平面层,具有在光接收区域中的非平面光入射表面;以及无机材料的微型透镜,其设置在该非平面层的该光入射表面侧上,并且聚集入射光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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