[发明专利]固体电解电容器有效
| 申请号： | 201380033676.4 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104428856B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 小菅啓子 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/032 | 分类号： | H01G9/032;H01G9/07 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 固体电解电容器(1)具备：阳极(10)、电介质层(14)、硅烷偶联层(15)、导电性高分子层(16)、和阴极层(17)。电介质层(14)被设置在阳极(10)上。硅烷偶联层(15)被设置在电介质层(14)上。导电性高分子层(16)被设置在硅烷偶联层(15)上。阴极层(17)被设置在导电性高分子层(16)上。硅烷偶联层(15)具有第1硅烷偶联层(15a)和第2硅烷偶联层(15b)。第1硅烷偶联层(15a)对电介质层(14)的导电性高分子层(16)侧的表面的一部分进行覆盖。第2硅烷偶联层(15b)在电介质层(14)的导电性高分子层(16)侧的表面，对从第1硅烷偶联层(15a)露出的部分的至少一部分进行覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷偶联层 导电性高分子层 电介质层 固体电解电容器 阳极 阴极层 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种固体电解电容器，具备：阳极；电介质层，其被设置在所述阳极上；硅烷偶联层，其被设置在所述电介质层上；导电性高分子层，其被设置在所述硅烷偶联层上；和阴极层，其被设置在所述导电性高分子层上，所述硅烷偶联层具有：第1硅烷偶联层，该第1硅烷偶联层对所述电介质层的所述导电性高分子层侧的表面的一部分进行覆盖；和第2硅烷偶联层，该第2硅烷偶联层在所述电介质层的所述导电性高分子层侧的表面，对从所述第1硅烷偶联层露出的部分的至少一部分进行覆盖，所述第2硅烷偶联层进一步覆盖所述第1硅烷偶联层的至少一部分，所述第1硅烷偶联层和所述第2硅烷偶联层不经由导电性高分子层而直接接触。
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