[发明专利]利用金属/金属结合制造复合结构的方法

摘要

用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m²的结合能量。发起结合波的传播的步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：‑将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；‑向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力。在发起结合波的传播的步骤之后，所述方法进一步包括：确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep，其中：Rc对应于这两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；Ep对应于这两个晶片的组件的厚度，单位为μm。该方法进一步包括当所述应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。

主权项

一种用于制造复合结构的方法，所述方法包括：将至少一个第一晶片(20)与第二晶片(30)直接结合，所述方法包括发起结合波的传播的步骤，其中在所述结合波传播之后，所述第一晶片(20)和所述第二晶片(30)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m²的结合能量，其特征在于，发起结合波的传播的所述步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：‑将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；‑向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力；并且，在发起结合波的传播的所述步骤之后，所述方法进一步包括：‑确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep其中：Rc对应于两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；以及Ep对应于两个晶片的组件的厚度，单位为μm；以及‑当所确定的应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。