[发明专利]碳化硅外延晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 201380035035.2 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104395986A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 姜石民 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一个实施方案，一种制造外延晶片的方法包括：在衬托器中提供晶片，以及在所述晶片上生长外延层。所述在所述晶片上生长外延层包括：将第一输入量的原料供给到所述衬托器中的第一步骤，和将第二输入量的原料供给到所述衬托器中的第二步骤。所述第一输入量小于所述第二输入量。根据一个实施方案，外延晶片包含晶片和在所述晶片上形成的外延层，其中所述晶片的表面缺陷为1ea/cm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种外延晶片，其包含：晶片；和在所述晶片上形成的外延层，其中所述外延层的表面缺陷为1ea/cm2以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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