[发明专利]使用真空吸盘固持晶片或晶片子堆叠有效
申请号: | 201380035447.6 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN104471695B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 哈特穆特·鲁德曼;斯蒂芬·海曼加特纳;约翰·A·维达隆 | 申请(专利权)人: | 赫普塔冈微光有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;B65G49/07;B25B11/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,吴启超 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文描述用于固持晶片或晶片子堆叠以便于进一步处理所述晶片子堆叠的技术。在一些实施中,晶片或晶片子堆叠由真空吸盘以可帮助减少所述晶片或晶片子堆叠的弯曲的方式固持。 | ||
搜索关键词: | 使用 真空 吸盘 晶片 堆叠 | ||
【主权项】:
一种使用复制工艺在晶片上形成特征的方法,所述方法包含:将晶片放置在真空吸盘上,其中所述晶片的面向所述真空吸盘的第一表面包括朝向所述真空吸盘凸出的特征,其中所述真空吸盘包括中心凹入表面,硅胶垫安置在所述中心凹入表面上,且其中所述真空吸盘在其凹入区域中包括透明窗以便于使用位于所述真空吸盘下方的显微镜观察所述晶片的底面;将压力施加到所述晶片的在所述晶片的一侧上的第二表面,所述侧与所述晶片的第一表面相对,以使得所述晶片在所述晶片的第一表面上的所述特征接触所述硅胶垫,且其中所述晶片的所述第一表面的靠近所述晶片周边的部分接触包括真空通道的所述真空吸盘的升高部分;使用所述真空通道产生真空以将晶片固持到所述真空吸盘;及随后使复制工具接触所述晶片的所述第二表面以使用复制工艺在所述晶片的所述第二表面上形成特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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