[发明专利]发光元件材料及发光元件有效
申请号: | 201380035572.7 | 申请日: | 2013-07-03 |
公开(公告)号: | CN104428916B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 市桥泰宜;田中大作;池田武史;新井猛;池田笃;富永刚 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C07D471/04;C09K11/06 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的是提供发光效率、驱动电压、耐久寿命全部被改善了的有机薄膜发光元件,本发明的发光元件材料的特征在于,具有包含荧蒽骨架的特定的化合物。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 材料 | ||
【主权项】:
一种发光元件材料,其特征在于,具有下述通式(1)所示的化合物,
式中,Z由下述通式(2)表示,Ar由下述通式(3)表示,L为取代或未取代的亚芳基,n为1或2,当n为2时2个Z可以相同也可以不同,
式中,环A和环B各自表示取代或未取代的苯环、取代或未取代的稠合芳香族烃环、取代或未取代的单环芳香族杂环、或者取代或未取代的稠合芳香族杂环,其中,构成环A和环B的至少1个原子为受电子性氮,环A和环B被取代了的情况下的取代基、以及R1各自选自烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素、羰基、羧基、氧基羰基、氨基甲酰基和‑P(=O)R2R3,R1可以为氢,R2和R3为芳基或杂芳基,此外R2和R3可以缩合而形成环,其中,在R1、环A和环B中的任一位置与L连接,当n为2时2个Z与L连接的位置分别可以相同也可以不同,
式中,R101~R110分别可以相同也可以不同,选自氢、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素、羰基、羧基、氧基羰基和氨基甲酰基,R101~R110中相邻的取代基彼此可以形成环,其中,不形成苯环,此外,在R101~R110中的任一个位置与L连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东丽株式会社,未经东丽株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380035572.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基站云系统中开展业务的方法及平台
- 下一篇:具有内嵌式调节结构的健身器材
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择