[发明专利]用于抗图案崩坏处理的包含双子型添加剂的组合物

摘要

本发明提供了双子型添加剂在用于半导体基材或光刻法掩模处理的组合物中的用途。所述组合物可用于制备集成电路器件、光学器件、微机械和精密机械器件，尤其是光致抗蚀剂显影和蚀刻后移除残余物以避免图案崩坏的工艺中。

主权项

1.一种通式I的双子型添加剂在用于光致抗蚀剂显影之后的半导体基材的减少缺陷冲洗的水性组合物中的用途：其中X为二价基团，对于各重复单元1‑n，其独立地选自：(a)直链或支化C₁‑C₂₀链烷二基，其可任选被取代且其可任选间隔有至多5个选自O和N的杂原子，(b)C₅‑C₂₀环烷二基，其可任选被取代且其可任选间隔有至多5个选自O和N的杂原子，(c)式‑X¹‑A‑X²‑的C₆‑C₂₀有机基团，其中X¹和X²独立地选自C₁‑C₇直链或支化链烷二基且A选自C₅‑C₁₂芳族结构部分或C₅‑C₃₀环烷二基，其H原子可任选被取代且其C原子可任选间隔有至多5个选自O和N的杂原子，(d)式II的聚氧亚烷基双基：其中p为0或1，r为1‑100的整数，且R⁵选自H或直链或支化C₁‑C₂₀烷基；R¹和R²为单价基团，其独立地选自H、直链或支化C₁‑C₂₀烷基、C₅‑C₂₀环烷基、C₅‑C₂₀芳基、C₆‑C₂₀烷基芳基、C₆‑C₂₀芳基烷基、C₁‑C₂₀羟基烷基或C₂‑C₄氧亚烷基均聚物或共聚物，其均可任选进一步被取代；R³和R⁴为(a)单价基团，其独立地选自直链或支化C₅‑C₃₀烷基、C₅‑C₃₀环烷基、C₁‑C₂₀羟基烷基和C₂‑C₄氧亚烷基均聚物或共聚物，其均可任选被取代，或(b)成对R³‑R⁴和相邻R⁴‑R⁴和R³‑R³可任选一起形成二价基团X，或(c)通过支化成为分子的延伸部分Q，或(d)如果n等于或大于2，则R³、R⁴、或R³和R⁴也可为氢原子；或(e)选自式VI其中X⁵选自化学键或直链或支化C₁‑C₄链烷二基，R^5’选自OH、H或直链或支化C₁‑C₅烷基，R⁶选自H或直链或支化C₁‑C₂₀烷基、C₁‑C₂₀环烷基、C₁‑C₂₀芳基、C₁‑C₂₀烷基芳基或C₁‑C₂₀芳基烷基，R⁷选自H或直链或支化C₁‑C₁₀烷基；n为1‑5的整数，或如果X、R³和R⁴中的至少一个包含C₂‑C₄聚氧亚烷基，则n还可为6‑10000的整数，且条件是，如果存在至少一个Q，则n包括支链Q的所有重复单元；Q为z为整数，其经选择以使整个表面活性剂不带电；Z为抗衡离子。