[发明专利]驱动器电路和驱动方法有效
申请号: | 201380035841.X | 申请日: | 2013-07-02 |
公开(公告)号: | CN104412499B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 込山伸二;福田伸一;大前宇一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02J7/00;H02J50/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 李晓舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及驱动电路和驱动方法,其中,通过简单的电路可以降低切换FET时的损失。线圈和FET栅极输入电容一起形成谐振电路。开关(再生开关)导通或截止流到线圈的电流。用于对谐振电路提供电荷的直流电源连接到FET栅极。开关(供电开关)导通或关断直流电源和FET栅极之间的连接。本发明例如可以应用于输出交流电压和通过切换的电流的电源。 | ||
搜索关键词: | 驱动器 电路 驱动 方法 | ||
【主权项】:
一种用于FET场效应晶体管的驱动电路,包括:线圈,与FET的栅极处的输入电容一起构成谐振电路;第一开关,配置为导通或截止线圈中流动的电流;DC电源,连接到FET的栅极,以便用电荷补充谐振电路;第二开关,配置为导通或关断DC电源和FET的栅极之间的连接;以及偏移电路,配置为将FET的栅极处的电压偏移为预定值或更大值的电压,其中所述偏移电路包括:附加DC电源,具有为DC电源的1/2的电压;电阻,配置为偏置FET的栅极处的电压;以及电容器,配置为旁路在谐振电路中流动的电流。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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