[发明专利]SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法有效
| 申请号： | 201380035985.5 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104471117A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 冈田信宏;龟井一人;楠一彦;矢代将齐;森口晃治;大黑宽典;加渡幹尚;坂元秀光 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。 | ||
| 搜索关键词： | sic 单晶体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造装置，该制造装置是用于溶液生长法的SiC单晶体的制造装置，其中，该制造装置包括：晶种轴，其具有供SiC晶种安装的下端面；坩埚，其用于收纳Si－C溶液，所述晶种轴包括：筒部；底部，其配置于所述筒部的下端，且具有所述下端面；低导热性构件，其配置于所述底部的上表面，且具有比所述底部的热传导率低的热传导率。
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