[发明专利]使用不对称嵌入式成像目标的聚焦监测方法有效
申请号: | 201380036087.1 | 申请日: | 2013-06-04 |
公开(公告)号: | CN104412359B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 崔东燮;B·皮尔逊;戴维·天;J·曼卡;朴东顺 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于监测掩模聚焦的方法,其包含测量包含亚分辨率辅助特征的目标特征中的轮廓不对称性及基于轮廓与对应掩模的聚焦之间的已知相关导出聚焦响应。计算机系统可在光刻工艺中基于此类所导出的信息调整掩模聚焦以符合所要制造工艺。 | ||
搜索关键词: | 使用 不对称 嵌入式 成像 目标 聚焦 监测 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在光刻期间监测聚焦的设备,其包括:处理器;存储器,其连接到所述处理器;以及计算机可执行程序代码,其经配置以在所述处理器上执行,其中:所述计算机可执行程序代码经配置以:接收对应于第一掩模元件的第一图像轮廓及对应于包括第一亚分辨率辅助特征的第二掩模元件的第二图像轮廓,所述第一图像轮廓与所述第二图像轮廓是不对称的;接收对应于第三掩模元件的第三图像轮廓及对应于包括第二亚分辨率辅助特征的第四掩模元件的第四图像轮廓;基于所述第一图像轮廓及所述第二图像轮廓测量由所述第一亚分辨率辅助特征导致的第一轮廓不对称性;基于所述第三图像轮廓及所述第四图像轮廓测量由所述第二亚分辨率辅助特征导致的第二轮廓不对称性;以及基于所述第一轮廓不对称性确定第一聚焦响应且基于所述第二轮廓不对称性确定第二聚焦响应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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