[发明专利]从集成电路的晶片背侧层集成穿板通孔有效
| 申请号： | 201380036280.5 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104428887B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | V·拉马钱德兰;S·顾 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体晶片具有从该半导体晶片的背侧创建的集成穿板通孔。该半导体晶片包括半导体基板(102)和在该半导体基板的表面上的浅沟槽隔离(STI)层焊盘(130)。该半导体晶片还包括在触点蚀刻停止层(132)上形成的层间介电(ILD)层(108)，该触点蚀刻停止层将该ILD层与该半导体基板的表面上的该STI层焊盘分开。该半导体晶片进一步包括延伸穿过该STI层焊盘和该半导体基板以与该ILD层内的至少一个触点(140)耦合的穿板通孔(780，980)。该穿板通孔包括导电填充物材料和侧壁隔离内衬层(470)。该侧壁隔离内衬层的一部分有可能延伸到该STI层焊盘中但不穿过该STI层焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 晶片 背侧层 集成 穿板通孔 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基板；在所述半导体基板的表面上的浅沟槽隔离STI层焊盘；在触点蚀刻停止层上形成的层间介电ILD层，所述触点蚀刻停止层将所述ILD层与所述半导体基板的所述表面上的所述STI层焊盘分开；以及延伸穿过所述半导体基板并且部分地进入但不穿过所述STI层焊盘的穿板通孔，所述穿板通孔包括导电填充物材料和侧壁隔离内衬层，所述侧壁隔离内衬层的一部分延伸到所述STI层焊盘中但不穿过所述STI层焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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