[发明专利]膜形成装置及方法

摘要

通过RPCVD在衬底上形成具有极低含量的碳杂质和氧杂质薄膜的装置和方法，包括将VA族等离子体引入到生长室的第一沉积区的步骤，将IIIA族试剂引入到与第一沉积区隔离的生长室的第二沉积区的步骤，通过另外试剂入口引入选自氨、肼、二甲基肼和氢等离子体的一定量另外试剂到第二沉积区，以使另外试剂和IIIA族试剂在沉积之前混合的步骤。

主权项

一种形成膜的RPCVD装置，包括生长室的所述装置包括：（a）VA族的等离子体入口，位于生长室的第一沉积区中以向其中引入VA族的等离子体；（b）IIIA族试剂入口，位于生长室的第二沉积区以向其中引入IIIA族的试剂；（c）IIIA族试剂入口附近的另外试剂入口，以引入选自氨、肼、二甲基肼和氢等离子体的另外试剂到第二沉积区中，使得另外试剂和IIIA族试剂在沉积前混合；和（d）衬底支架，适用于支撑一个或多个衬底并在第一沉积区和第二沉积区之间旋转每个衬底。