[发明专利]蚀刻方法以及使用该方法制造半导体基板产品和半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201380036459.0 | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104428876A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 室祐继;上村哲也;稻叶正;渡边敬宏;朴起永 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 牛海军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种蚀刻方法，所述方法具有以下步骤：将蚀刻液施加到半导体基板中的含TiN层上从而蚀刻所述含TiN层，所述蚀刻液包含水以及其水中的碱性化合物和氧化剂，所述蚀刻液在8.5至14的pH的范围内，并且所述含TiN层具有0.1摩尔％至10摩尔％的表面氧含量。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 以及 使用 制造 半导体 产品 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，所述方法包括以下步骤：制备蚀刻液，所述蚀刻液包含水、碱性化合物和氧化剂，所述蚀刻液在8.5至14的pH的范围内，将所述蚀刻液施加到半导体基板中的含TiN层上，从而蚀刻所述含TiN层，所述含TiN层具有0.1摩尔％至10摩尔％的表面氧含量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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