[发明专利]半导体晶片的评价方法及制造方法

摘要

本发明是一种半导体晶片的评价方法，其是于镜面研磨工序之前，使用静电容式的形状测定装置，测定半导体晶片的表面位移的翘曲数据，并将半导体晶片外周部的特定宽度设定为抽出范围，于该抽出范围中，根据以特定的拟合范围中的拟合函数进行翘曲数据的拟合，除去在半导体晶片外周部的由于加工应变对翘曲数据的变化所造成的影响后，求得抽出范围中的经前述拟合的翘曲数据的全距(最大值－最小值)，并根据该求得的全距，来评价镜面研磨工序后的半导体晶片表面的纳米形貌。由此，提供一种半导体晶片的评价方法，可于半导体晶片制造的中间工序中，精确地评价镜面研磨工序后的半导体晶片的纳米形貌。

主权项

一种半导体晶片的评价方法，其特征在于，其是对根据包含切片工序、研光工序和/或磨削工序、蚀刻工序、及镜面研磨工序的制造方法而制造的半导体晶片，进行评价表面的纳米形貌的方法；并且，于前述镜面研磨工序之前，使用静电容式的形状测定装置，测定前述半导体晶片的表面位移的翘曲数据，并将前述半导体晶片外周部的特定宽度设定为抽出范围，于该抽出范围中，根据以特定拟合范围中的拟合函数进行前述翘曲数据的拟合，除去在前述半导体晶片外周部的由于加工应变对翘曲数据的变化所造成的影响后，求得前述抽出范围中的经前述拟合的翘曲数据的全距即最大值减去最小值而得的数值，并根据该求得的全距，来评价前述镜面研磨工序后的半导体晶片表面的纳米形貌；将前述抽出范围，设定为：于径向方向，自前述半导体晶片的边缘起，至直径的10分之1的位置为止的范围内；将前述拟合范围，设定为：于径向方向，自距前述半导体晶片的边缘为直径的10分之1的位置起，朝向边缘的直径的30分之1的宽度范围内。