[发明专利]溅射设备和磁体单元有效

专利信息
申请号: 201380036961.1 申请日: 2013-03-14
公开(公告)号: CN104487607B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 铃木英和 申请(专利权)人: 佳能安内华股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇,张会华
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了当磁体单元的宽度被减小时在靶的表面上获得充分的漏磁通密度的溅射设备和磁体单元。该溅射设备设置有靶保持件以及具有长边和短边的矩形磁体单元。磁体单元具有第一磁体;布置在第一磁体周围且在与第一磁体的磁化方向不同的相反方向上被磁化的第二磁体;第三磁体,该第三磁体在短边方向上的第一磁体与第二磁体之间的至少中央位置并且在短边方向上在第一磁体和第二磁体之间的区域的一部分被磁化。第三磁体的面对第二磁体的表面具有与第二磁体的在靶保持件侧的表面相同的极性,并且第三磁体的面对第一磁体的表面具有与第一磁体的在靶保持件侧的表面相同的极性。
搜索关键词: 溅射 设备 磁体 单元
【主权项】:
一种溅射设备,其包括:靶保持件,所述靶保持件包括靶载置表面;和矩形的磁体单元,所述磁体单元布置在所述靶保持件的与所述靶载置表面相反的表面附近,并且具有长边和短边,其中,所述磁体单元包括:第一磁体,所述第一磁体在垂直于所述靶载置表面的方向上被磁化,第二磁体,所述第二磁体以包围所述第一磁体的方式布置,并且在垂直于所述靶载置表面的方向且在与所述第一磁体的磁化方向相反的方向上被磁化,和第三磁体,所述第三磁体位于短边方向上所述第一磁体与所述第二磁体之间的一部分处,并且在所述第一磁体与所述第二磁体之间的至少正中央位置处,所述第三磁体在短边方向上被磁化,所述第三磁体包括:面对所述第二磁体并且具有与所述第二磁体的在所述靶保持件侧的表面的极性相同的极性的表面,和面对所述第一磁体并且具有与所述第一磁体的在所述靶保持件侧的表面的极性相同的极性的表面,其中,所述第一磁体与所述第二磁体之间的在长边方向上的端部未设置有所述第三磁体,所述第三磁体的长边方向的长度比所述第一磁体的长边方向的长度短。
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