[发明专利]用于探测X射线辐射的方法、X射线辐射探测器和CT系统有效
| 申请号： | 201380037341.X | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104428690B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | P.哈肯施密德;E.克拉夫特;C.施勒特;M.斯特拉斯伯格;S.沃思 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 谢强,熊雪梅 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于借助直接转换的X射线辐射探测器(C3,C5)探测入射的X射线辐射的方法，其中，以具有至少1.6eV能量的附加的辐射照射用于探测的半导体材料(HL)来生成附加的电荷载体。本发明还涉及一种用于按照根据本发明的方法探测X射线辐射的直接转换的X射线辐射探测器(C3,C5)，至少具有用于探测X射线辐射的半导体材料(HL)和至少一个辐射源(Q)，该辐射源以附加的辐射照射半导体材料(HL)，其中，所述辐射具有至少1.6eV的能量，以及涉及一种具有X射线辐射探测器(C3,C5)的CT系统(C1)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 探测 射线 辐射 方法 探测器 ct 系统 | ||
【主权项】：
一种用于借助直接转换的X射线辐射探测器(C3,C5)探测入射的X射线辐射的方法，其中，1.1以具有至少1.6eV能量的附加的辐射照射用于探测的半导体材料(HL)来生成附加的电荷载体，通过所述照射激励在半导体材料(HL)中的带间跃迁，其中辐射的能量比带间跃迁的能量差最多高出25％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司，未经西门子公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380037341.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：运转计划最佳化装置、方法及程序
- 下一篇：管状热交换器
