[发明专利]溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201380037627.8 | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104471103B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 江端一晃;西村麻美;但马望 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;C04B35/453;C23C14/08;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种溅射靶，其由含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(A1)的氧化物构成，包含以InAlO3(ZnO)m(m为0.1～10)表示的同系结构化合物，所述铟元素、锡元素、锌元素及铝元素的原子比满足特定的必要条件。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 氧化物 半导体 薄膜 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，由含有铟元素In、锡元素Sn、锌元素Zn及铝元素Al的氧化物形成，其包含以InAlO3(ZnO)m表示的同系结构化合物，且不含有以In2O3表示的方铁锰矿结构化合物，所述m为0.1～10，所述铟元素、锡元素、锌元素及铝元素的原子比满足下述式(1)～(4)：0.10≤In/(In+Sn+Zn+Al)≤0.30 (1)0.01≤Sn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.30 (2)0.10≤Zn/(In+Sn+Zn+Al)≤0.65 (3)0.01≤Al/(In+Sn+Zn+Al)≤0.30 (4)式中，In、Sn、Zn及Al分别表示溅射靶中的铟元素、锡元素、锌元素及铝元素的物质量。
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