[发明专利]SiC单晶锭及其制造方法有效
| 申请号： | 201380037691.6 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104471118B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 加渡干尚;大黑宽典;坂元秀光;楠一彦;冈田信宏 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭，其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭，其中，所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。 | ||
| 搜索关键词： | sic 单晶锭 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
SiC单晶的制造方法，其是使被晶种保持轴保持的晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶结晶成长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其中，包括使结晶成长面的界面正下方的外周部的所述Si‑C溶液的温度与所述结晶成长面的界面正下方的中央部的所述Si‑C溶液的温度相比降低，并且使所述Si‑C溶液从所述结晶成长面的界面正下方的所述中央部向所述外周部流动。
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