[发明专利]集成半导体器件有效
申请号: | 201380037843.2 | 申请日: | 2013-08-01 |
公开(公告)号: | CN104471711B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 斯特凡·科克;托马斯·默克勒 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L49/02;H01L23/522;H01L23/66 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 具有稳定功能的集成半导体器件包括衬底层(126)、绝缘层(133)、形成于所述衬底层(126)与所述绝缘层(133)之间的接地平面层(128)以及形成在所述衬底层(126)的背离所述绝缘层(133)的表面(137)上的信号平面层(131)。n‑端口(121),例如,晶体管(121)形成在所述衬底层(126)的第一侧(127)上的所述衬底层(126)内。通孔(136)形成为穿过所述绝缘层(133)。电阻器(125)形成在所述接地平面层(128)内。 | ||
搜索关键词: | 集成 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种集成半导体器件,包括:‑衬底层(126),‑n‑端口(121),n为等于或大于2的整数,具有第一端口端子、第二端口端子以及接地端子,所述n‑端口形成在所述衬底层(126)的第一侧(127)上的所述衬底层(126)内,‑绝缘层(133),形成在所述衬底层(126)的所述第一侧(127)上的表面上,‑接地平面层(128),形成在所述衬底层(126)与所述绝缘层(133)之间,所述接地平面层(128)与所述n‑端口的一个端子接触,‑信号平面层(131),形成在所述绝缘层(131)的背离所述衬底层(126)的表面(137)上,‑通孔(136),形成为穿过所述绝缘层(133)并且使所述信号平面层(131)与所述n‑端口的另一端子而非所述接地平面层接触,‑接触端子,形成在所述绝缘层(133)内,并电接触所述n‑端口的既不与所述接地平面层(128)接触也不与所述信号平面层(131)接触的端子,以及‑电阻器(125),形成在所述接地平面层(128)内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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