[发明专利]集成半导体器件有效

专利信息
申请号: 201380037843.2 申请日: 2013-08-01
公开(公告)号: CN104471711B 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 斯特凡·科克;托马斯·默克勒 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L49/02;H01L23/522;H01L23/66
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 余刚,吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 具有稳定功能的集成半导体器件包括衬底层(126)、绝缘层(133)、形成于所述衬底层(126)与所述绝缘层(133)之间的接地平面层(128)以及形成在所述衬底层(126)的背离所述绝缘层(133)的表面(137)上的信号平面层(131)。n‑端口(121),例如,晶体管(121)形成在所述衬底层(126)的第一侧(127)上的所述衬底层(126)内。通孔(136)形成为穿过所述绝缘层(133)。电阻器(125)形成在所述接地平面层(128)内。
搜索关键词: 集成 半导体器件
【主权项】:
一种集成半导体器件,包括:‑衬底层(126),‑n‑端口(121),n为等于或大于2的整数,具有第一端口端子、第二端口端子以及接地端子,所述n‑端口形成在所述衬底层(126)的第一侧(127)上的所述衬底层(126)内,‑绝缘层(133),形成在所述衬底层(126)的所述第一侧(127)上的表面上,‑接地平面层(128),形成在所述衬底层(126)与所述绝缘层(133)之间,所述接地平面层(128)与所述n‑端口的一个端子接触,‑信号平面层(131),形成在所述绝缘层(131)的背离所述衬底层(126)的表面(137)上,‑通孔(136),形成为穿过所述绝缘层(133)并且使所述信号平面层(131)与所述n‑端口的另一端子而非所述接地平面层接触,‑接触端子,形成在所述绝缘层(133)内,并电接触所述n‑端口的既不与所述接地平面层(128)接触也不与所述信号平面层(131)接触的端子,以及‑电阻器(125),形成在所述接地平面层(128)内。
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