[发明专利]改进的晶体硅的制造有效

专利信息
申请号: 201380038161.3 申请日: 2013-05-15
公开(公告)号: CN104736746B 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 奥列格·费费洛夫;埃里克·绍尔;叶戈尔·弗拉基米罗夫 申请(专利权)人: REC光能普特有限公司
主分类号: C30B11/14 分类号: C30B11/14;C30B29/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 丁业平,金小芳
地址: 新加坡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明使用定向凝固工艺来制造晶体硅锭。具体而言,在坩埚中,在结晶取向一致的晶种层上方装载硅原料。使所述硅原料和所述晶种层的上部熔融以在所述坩埚中形成熔融材料。随后该熔融材料凝固,在该过程中,在硅锭中形成以所述晶种层的晶体结构为基础的晶体结构。所述晶种层被设置成使得{110}晶面垂直于凝固方向,并且所述晶种层的外周表面大体上位于{110}晶面。据发现,与可供选择的其他晶体取向相比,就锭中所能够生成的单晶硅的比例而言,这种布置提供了显著改善的效果。
搜索关键词: 改进 晶体 制造
【主权项】:
一种制造用于光伏电池的晶体硅的方法,该方法包括:在坩埚中提供硅晶种层,其中所述硅晶种层的外周限定了面向所述坩埚内壁的晶种层的外周面,所述晶种层的外周包含多种外周晶种砖;在所述晶种层上提供硅原料;使所述硅原料以及使所述晶种层的上部熔融,从而在所述坩埚中生成熔融硅;定向凝固所述熔融硅以形成硅锭;其中每个所述外周晶种砖均被设置为使得所述外围晶种砖包含取向与相邻的所述坩埚的内壁表面基本上平行的第一{110}晶面、以及与所述熔融硅的凝固方向基本上垂直的第二{110}晶面。
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