[发明专利]在热工艺中玻璃弯曲的避免有效
| 申请号： | 201380038408.1 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104737301B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | S.乔斯特;J.帕姆 | 申请（专利权）人： | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 陈浩然,胡斌 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于避免玻璃基质弯曲的多层体组件(1)，其包括‑ 多层体(2)，其带有玻璃基质(30)、被施加在玻璃基质(30)的一侧上的功能性覆层(10)和平面地与玻璃基质(30)的背对功能性覆层(10)的侧面相连接的辅助层(20)；‑ 两个辐射器场(4)，其带有处于其间的处理平面，在其中布置多层体(2)，以在250nm至4000nm的波长范围中射入到玻璃基质30上的辐射功率Pges用于功能性覆层(10)的热处理，其中，辅助层(20)具有射入的辐射功率Pges的10%至60%的所吸收的辐射功率P20。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 玻璃 弯曲 避免 | ||
【主权项】：
一种用于避免玻璃基质弯曲的多层体组件(1)，其包括：‑ 多层体(2)，其带有玻璃基质(30)、被施加到所述玻璃基质(30)的一侧上的功能性覆层(10)和平面地与所述玻璃基质(30)的背对所述功能性覆层(10)的另一侧相连接的辅助层(20)，‑ 两个辐射器场(4)，其带有处于其间的处理平面，在其中布置所述多层体(2)，以在250nm至4000nm的波长范围中射入到所述玻璃基质(30)上的辐射功率Pges用于所述功能性覆层(10)的热处理，其中，所述辅助层(20)具有射入的所述辐射功率Pges的10%至60%的所吸收的辐射功率P20。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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