[发明专利]在每一侧具有双共轴触头布置的真空断路器无效
申请号: | 201380038542.1 | 申请日: | 2013-06-11 |
公开(公告)号: | CN104488057A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | D·根奇;T·拉马拉;A·索克洛夫 | 申请(专利权)人: | ABB技术股份公司 |
主分类号: | H01H33/664 | 分类号: | H01H33/664 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 曹瑾 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 本发明涉及真空断路器,其具有布置在同心杯形AMF线圈内的双共轴触头布置,其中,内部触头具有TMF状的或销形的形状,所述真空断路器在每侧,即,根据权利要求1前序部分的静止触头布置侧以及移动触头布置侧,具有单层或多层触头部件。为进一步增强该特定结构以导致高导电性和低电阻,本发明为,外部杯形触头由双层或多层布置制成,其中至少一层由硬钢或钢合金制成,并且至少第二层由具有高导热性的材料制成。 | ||
搜索关键词: | 一侧 具有 双共轴触头 布置 真空 断路器 | ||
【主权项】:
一种真空断路器,具有布置在同心杯形AMF线圈内的双共轴触头布置,其中,内部触头具有TMF状或销形的形状;所述真空断路器在每一侧,即,在静止触头布置侧以及能够移动的触头布置侧,具有单层或多层布置的触头部件,所述真空断路器的特征在于,外部杯形触头由单层、或双层或多层布置制成,其中至少一层由硬钢或钢合金制成,并且在多层布置的情况下,至少第二层由具有高导热性的材料制成。
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